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半导体电化学传感器

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申请人传感器创新公司
发明人C·R·卡恩
公开号CN101765766B
授权号CN101765766B
申请日2008-06-06
公开日2014-03-19
授权日2014-03-19

摘要

本文描述了与测定样品中的分析物如氢离子的浓度有关的衬底、传感器和系统。其还原和/或氧化电位对分析物的存在敏感的氧化还原活性部分被固定到半导体表面上。固定的其还原和/或氧化电位对该分析物不敏感的氧化还原活性部分可用于参比。使用这些修饰的半导体表面进行的伏安测量可以精确地确定目标样品中分析物的存在和/或浓度。本发明的半导体电化学传感器是坚固的,并且可以不需要校准或再校准。

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